滁州铝钼铝蚀刻液剥离液生产

时间:2023年05月09日 来源:

    例如即使为50/50μm以下的线/间距、推荐10/10~40/40μm的线/间距也能除去抗蚀剂。实施例以下,举出实施例对本发明进行详细说明,但本发明不受这些实施例任何限定。实施例1抗蚀剂的剥离液的制备:将以下的表1中记载的成分在水中混合、溶解而制备抗蚀剂的剥离液。【表1】(mol/l)氢氧化钾氢氧化钠异丙基溶纤剂硅酸钾本发明组成:(1)基板制作方法为了提**膜抗蚀剂一基材间的密合,将覆铜层叠板(古河电工(株式会社)制:ccl:电解铜箔gts35μm箔)通过粗化处理(jcu制:ebakemuneobrownnbsii、蚀刻量μm)使表面粗度成为ra约μm。其后,使用干膜抗蚀剂(日立化成制:rd-1225(sap用):25μm厚)实施从层压到图案曝光、显影。向本基板以15μm厚实施镀铜(jcu制:cu-britevl)后,切出50×50mm2作为试验片。需要说明的是,该试验片是在一片上具有以下的表2的l/s的图案部分和黏性部分的试验片。(2)图案基板上残留的抗蚀剂的评价方法上述评价方法中将喷涂运行时间固定在4分钟,按照以下的评价基准评价l/s=20/20~40/40μm的图案部分有无剥离残渣。将其结果示于表2。<剥离残渣的评价基准>(分数)(内容)1:无残渣2:有极少量残渣。友达光电用的哪家的剥离液?滁州铝钼铝蚀刻液剥离液生产

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剥离液是一种通用湿电子化学品,主要用于去除金属电镀或者蚀刻加工完成后的光刻胶和残留物质,同时防止对衬底层造成破坏。剥离液是集成电路、分立器件、显示面板、太阳能电池等生产湿法工艺制造的关键性电子化工材料,下游应用领域***,但整体应用需求较低,因此市场规模偏小。

剥离液应用在太阳能电池中,对于剥离液的洁净度要求较低,*需达到G1等级,下游客户主要要天合、韩华、通威等;应用到面板中,通常要达到G2、G3等级,且高世代线对于剥离液的要求要高于低世代线,下游客户有京东方、中星光电;在半导体中的应用可分等级,在8英寸及以下的晶圆制造中,对于剥离液的要求达到G3、G4水平,大硅片、12英寸晶元等**产品要达到G5水平。 滁州铝钼铝蚀刻液剥离液生产铜剥离液的配方是什么?

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光刻作为IC制造的关键一环常常被人重视,但是光刻胶***都是作为**层被去掉的,如何快速、干净的去除工艺后的光刻胶是一个经常被疏忽的问题,但是很重要,直接影响了产品质量。如何快速有效的去除光刻胶。笔者**近就碰到一些去胶的问题,比如正胶和负胶去除需要的工艺有差别。去胶工艺还和光刻胶受过什么样的工艺处理有关,比如ICPRIE之后的光刻胶、还有湿法腐蚀后的光刻胶。市面上针对光刻胶去除的特殊配方的去胶液有很多种,但需要根据自身产品特性加以选择。在做砷化镓去除光阻的案例,砷化镓是一种化合物半导体材料,分子式GaAs。立方晶系闪锌矿结构,即由As和Ga两种原子各自组成面心立方晶格套构而成的复式晶格,其晶格常数是5.6419A。室温下禁带宽度1.428eV,是直接带隙半导体,熔点1238℃,质量密度5.307g/cm3,电容率13.18。在其中掺入Ⅵ族元素Te、Se、S等或Ⅳ族元素Si,可获得N型半导体,掺入Ⅱ族元素Be、Zn等可制得P型半导体,掺入Cr或提高纯度可制成电阻率高达107~108Ω·cm的半绝缘材料。

光刻胶又称光致抗蚀剂,主要由感光树脂、增感剂和溶剂三种成分组成。感光树脂经光照后,在曝光区能很快地发生光固化反应,使得这种材料的物理性能,特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经曝光、显影、刻蚀、扩散、离子注入、金属沉积等工艺将所需的微细图形从掩模版转移至加工的基板上、***通过去胶剥离液将未曝光部分余下的光刻胶清洗掉,从而完成整个图形转移过程。在液晶面板和amoled生产中***使用。现有的剥离液主要有两种,分别是水性剥离液和有机剥离液,由于有机剥离液只能用于具有mo/al/mo结构的制程中,无法用于ito/ag/ito;且乙醇胺的含量高达60%以上,有很强的腐蚀性,因此,常用的剥离液是水性剥离液,现有的水性剥离液主要成分为有机胺化合物、极性有机溶剂以及水,但现有的水性剥离液大都存在腐蚀金属配线、光刻胶残留、环境污染大、影响操作人员的安全性、剥离效果差等问题。什么制程中需要使用剥离液。

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好的剥离液的标准是什么。滁州铝钼铝蚀刻液剥离液生产

    本发明涉及能够从施加有抗蚀剂的基材剥离抗蚀剂的抗蚀剂的剥离液。背景技术::印刷布线板的制造、主要是半加成法中使用的干膜抗蚀剂等抗蚀剂的剥离液中,伴随微细布线化而使用胺系的剥离液。然而,以往的胺系的抗蚀剂的剥离液有废液处理性难、海外的法规制度的问题,而避免其使用。近年来,为了避免胺系的抗蚀剂的剥离液的问题点,还报道了一种含有氢氧化钠和溶纤剂的剥离液(专利文献1),由于剥离时的抗蚀剂没有微细地粉碎,因此存在近年的微细的布线间的抗蚀剂难以除去的问题点。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2002-323776号公报技术实现要素:发明要解决的问题因此,本发明的课题在于,提供容易除去微细的布线间的抗蚀剂的技术。用于解决问题的手段本发明人等为了解决上述课题而深入研究的结果发现,含有钾盐和溶纤剂的溶液与专利文献1那样的含有氢氧化钠和溶纤剂的溶液相比,即使是非常微细的布线间的抗蚀剂也能细小地粉碎,从而完成本发明。即,本发明涉及一种抗蚀剂的剥离液,其特征在于,含有钾盐和溶纤剂。另外,本发明涉及一种抗蚀剂的除去方法,其特征在于,用上述抗蚀剂的剥离液处理施加有抗蚀剂的基材。此外,本发明涉及一种抗蚀剂的剥离液套件。滁州铝钼铝蚀刻液剥离液生产

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